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高石半导体

About

关于高石半导体

深圳市高石半导体科技有限公司(Gostone Semiconductor Technology Co., Ltd)成立于 2020 年 8 月,专注功率半导体器件设计,以市场理解、研发深度与供应保障服务消费、计算、能源与工业客户。

2020.08
公司成立
1.1 亿
注册资本(人民币)
深圳
公司总部
6
功率器件技术平台

Strengths

我们的核心优势

高石以三项能力构筑竞争力:贴近终端的市场经验、国际背景的研发团队,以及稳健的供应管理。

01
充足的市场经验
深耕消费电子、计算通信、电源能源与工业汽车等功率应用,理解终端系统对效率、可靠性与成本的真实约束,使产品定义贴近量产需求。
02
卓越的研发实力
核心团队来自国际功率半导体企业,长期深耕 MOSFET、IGBT 等功率器件。从器件设计、验证到工程迭代形成闭环,持续提升平台性能与工程成熟度。
03
强大的供应管理能力
以稳定的晶圆与封装协作体系保障供货连续性,从样品到量产建立可追溯的质量与交期管理,支撑客户供应链导入与长期供货。

Business

我们做什么

高石聚焦功率开关器件的产品定义、设计与量产实现,覆盖 SGT / Trench MOSFET、CSP、Super Junction、FS-Trench IGBT 与 DrMOS 等平台,以工程验证与稳定供货服务高效用电与高可靠功率系统。

注册资本 11,000 万元人民币。公司总部设于深圳,研发与工程团队协同推进平台研发与产品落地。

Team

研发能力

研发骨干长期深耕功率器件,具备国际企业工程与量产经验。

国际功率半导体背景

核心团队成员来自国际功率半导体企业,覆盖器件设计、工艺协同与产品工程等关键环节,具备将先进结构转化为可量产器件的工程能力。

团队长期专注功率 MOSFET 与 IGBT 等器件,熟悉工艺窗口与可靠性约束,持续优化器件性能与量产一致性。

资深工程能力

骨干成员深耕功率器件设计与工程多年,具备从结构定义、验证到量产导入的完整经验。

长期专注功率器件(MOSFET / IGBT),支撑平台迭代与客户应用。

R&D

研发与验证环境

具备器件设计、测试与工程验证条件,支撑平台迭代与器件验证。

高石半导体研发中心外景
研发中心外景
研发中心办公与设计区
设计与工程办公区
研发中心实验室工作台
器件测试与工程实验
研发中心综合实验室
综合实验室

Milestones

发展历程

  1. 2020
    公司成立,启动功率器件产品定义与设计
  2. 2021–2022
    SGT / Trench 平台推进,进入消费电子等市场
  3. 2023
    Super Junction 等高电压段产品扩展
  4. 2024
    IGBT 与 DrMOS 等产品线持续推进
  5. 2025–
    平台矩阵与应用覆盖持续完善

与高石同行

欢迎就供应商合作、技术交流或样品需求与我们联系,也可进一步了解技术平台与产品组合。