Split-Gate Trench
SGT 屏蔽栅 MOSFET
在沟槽结构中引入屏蔽电极，优化栅电荷与导通电阻的平衡，支撑中低压、高效率功率转换与大电流开关。
- 中低压大电流
- 低 Qg · 高效开关
- DC-DC / 电机驱动
Technology
技术平台
从中低压屏蔽栅与沟槽，到高压超结与 IGBT，再到 CSP 与智能功率级——以完整的器件平台矩阵，支撑消费、计算与能源领域的功率系统设计。
高压超结
Super Junction MOSFET
以电荷平衡超结结构服务高压开关，在有限芯片面积下实现更优的导通电阻，面向 PFC、谐振与能源变换主功率路径。
- 650–700 V
- 低导通损耗
- PFC / 能源变换
晶圆级封装
CSP MOSFET
CSP / WLCSP 双 N 共漏结构，以接近芯片的占板面积服务便携设备电池保护与充放电路径，满足空间极度受限的设计需求。
- 双 N · 共漏
- CSP / WLCSP
- 电池保护路径
智能功率级
DrMOS & PMIC
驱动与高低边功率 MOSFET 单封装集成，提升功率密度并简化多相布局，面向主板、服务器等大电流核心供电与系统电源管理。
- DrMOS 功率级
- 高功率密度
- 主板 / 服务器供电