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高石半导体

GMJ541N65L1

Super Junction MOSFET·TO-252

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参数
初选参考
VDS650 V
RDS(on) max540 mΩ
RDS(on) typ420 mΩ
ID8 A
Qg typ15.7 nC
封装TO-252
VGS max±30 V
可替代参考型号
  • 英飞凌 IPD60R600C6
  • 英飞凌 SPD06N60C3
  • 新洁能 NCE65T540K
  • 英飞凌 IPD50R500CE
  • 英飞凌 IPD60R280P7
  • 英飞凌 IPD60R360P7
  • 英飞凌 IPD60R600P7

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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