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高石半导体

GMS009N03F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max0.7 mΩ
RDS(on) typ0.57 mΩ
ID330 A
Qg typ114 nC
封装PDFN5×6
典型替代料号
  • 华润微 HGQ011N03A-G
应用场景

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