GMS015N10M1

SGT MOSFET·TOLT

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	100 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	1.5 mΩ
RDS(on) typ	1.2 mΩ
ID	480 A
Qg typ	258 nC
封装	TOLT

典型替代料号

英飞凌 IPTC014N10NM5

应用场景

动力电池与储能

同产品线

GMS009N03F1 GMS009N04F1 GMS012N04M GMS012N10M GMS013N04F1 GMS014N06M1 GMS015N10M GMS015N10MC GMS016N03E4 GMS016N06M

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