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高石半导体

GMS015N10M1

SGT MOSFET·TOLT

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参数
初选参考
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max1.5 mΩ
RDS(on) typ1.2 mΩ
ID480 A
Qg typ258 nC
封装TOLT
可替代参考型号
  • 英飞凌 IAUS300N08S5N012T
  • 英飞凌 IAUS300N10S5N015T
  • 英飞凌 IPTC014N08NM5
  • 英飞凌 IPTC014N10NM5
  • 英飞凌 IPTC019N10NM5

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标,不代表该厂商的授权或背书。

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