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高石半导体

GA40F06K7BW

IGBT·TO-3P

参数
初选参考,设计以规格书为准
VCES650 V
VGES±20 V
IC40 A
VCE(sat) typ1.5 V
VCE(sat) max1.88 V
Qg typ190 nC
封装TO-3P
典型替代料号
  • CRG40T65AN5H

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