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高石半导体

GMS120N15F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

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参数
初选参考
VDS150 V
VGS max±20 V
RDS(on) max11.5 mΩ
RDS(on) typ9.7 mΩ
ID71 A
Qg typ19 nC
封装PDFN5×6
可替代参考型号
  • 英飞凌 BSC160N10NS3-G
  • 英飞凌 BSC160N15NS5
  • 英飞凌 BSC190N15NS3-G
  • 英飞凌 BSC110N15NS5
  • 英飞凌 ISC110N12NM6
  • 英飞凌 ISC165N15NM6
  • 乐山 LN7910DT1WG
  • 英飞凌 BSC074N15NS5
  • 英飞凌 BSC093N15NS5
  • 英飞凌 BSC152N15LS5
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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