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高石半导体

GN319B

SGT MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max5.6 mΩ
RDS(on) typ4.2 mΩ
ID44 A
Qg typ15.4 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • 尼克森 PE616A
  • 杰力:EMB06N03V

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