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高石半导体

GN356G

SGT MOSFET·TO-252

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参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
RDS(on) typ5.4 mΩ
ID80 A
封装TO-252
VGS(th) typ1.7 V
典型替代料号
  • (5.3
  • 6)
  • 80A
  • 杰力:EMB06N03A

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