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高石半导体

GN359G

SGT MOSFET·TO-252

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参数
初选参考
VDS30 V
RDS(on) typ7.8 mΩ
ID50 A
封装TO-252
VGS(th) typ1.7 V
可替代参考型号
  • 杰力 EMB09N03A

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