GMS018N04L3

SGT MOSFET·TO-263

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参数

初选参考

VDS	40 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	2.2 mΩ
RDS(on) typ	1.95 mΩ
ID	120 A
Qg typ	46 nC
封装	TO-263

可替代参考型号

英飞凌 IPB100N04S4-H2
英飞凌 IPB80N04S4-03
英飞凌 IRFS7440
锐骏 RU40120S
英飞凌 IPB023N04NF2S
英飞凌 IPB90N04S4-02
英飞凌 IPB014N04NF2S
英飞凌 IPB120N04S4-02
英飞凌 IRFS7437

应用场景

电源适配器动力电池与储能

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标，不代表该厂商的授权或背书。

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