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高石半导体

GMS018N04L3

SGT MOSFET·TO-263

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS40 V
VGS max±20 V
RDS(on) max2.2 mΩ
RDS(on) typ1.95 mΩ
ID120 A
Qg typ46 nC
封装TO-263
典型替代料号
  • 锐骏:RU40120S

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