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高石半导体

GMS020N10L3

SGT MOSFET·TO-263

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参数
初选参考
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max2 mΩ
RDS(on) typ1.9 mΩ
ID259 A
Qg typ176 nC
封装TO-263
可替代参考型号
  • 英飞凌 IPB020N10N5
  • 英飞凌 IPB027N10N3-G
  • 英飞凌 IRFS7534
  • 华润微 CRSS028N10N
  • 英飞凌 IPB018N10NM8
  • 英飞凌 IRFS7537
  • 华润微 CRSS022N10N3Z
  • 英飞凌 IPB013N10NM8
  • 英飞凌 IPB020N08N5
  • 英飞凌 IPT020N10N5

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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