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高石半导体

GMS020N10L4

SGT MOSFET·TO-263-7L

暂无在线规格书,可通过邮件索取。
参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS100 V
RDS(on) typ1.93 mΩ
ID259 A
封装TO-263-7L
VGS(th) typ3 V
典型替代料号
  • 晶恒:D250N088D7

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