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高石半导体

GMS022N04L3

SGT MOSFET·TO-263

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参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS40 V
RDS(on) typ1.95 mΩ
ID180 A
封装TO-263
VGS(th) typ1.7 V
典型替代料号
  • 晶恒:D180N04D

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