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高石半导体

GMS025N08F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

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参数
初选参考
VDS80 V
VGS max±20 V
RDS(on) max2.5 mΩ
RDS(on) typ2.1 mΩ
ID198 A
Qg typ76 nC
封装PDFN5×6
可替代参考型号
  • 英飞凌 BSC026N08NS5
  • 英飞凌 IAUC100N08S5N031
  • 英飞凌 ISC025N08NM5LF2
  • 微硕 WMB027N08HG4
  • 英飞凌 BSC030N08NS5
  • 英飞凌 IAUC100N08S5N034
  • 英飞凌 IRFH7440
  • 英飞凌 BSC025N08LS5
  • 英飞凌 BSC037N08NS5
  • 英飞凌 ISC025N08NM6

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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