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高石半导体

GMS027N10L3

SGT MOSFET·TO-263

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max2.7 mΩ
RDS(on) typ2.3 mΩ
ID182 A
Qg typ140 nC
封装TO-263
典型替代料号
  • CRSS035N10N
  • CRSS037N10N

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