GMS027N10L3

SGT MOSFET·TO-263

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参数

初选参考

VDS	100 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	2.7 mΩ
RDS(on) typ	2.3 mΩ
ID	182 A
Qg typ	140 nC
封装	TO-263

可替代参考型号

英飞凌 IPB027N10N3-G
英飞凌 IPB120N10S4-03
英飞凌 IRFS7537
华润微 CRSS035N10N
英飞凌 IPB027N10N5
英飞凌 IRFS7534
英飞凌 IRFS7730
华润微 CRSS037N10N
英飞凌 IPB020N10N5
英飞凌 IPB026N10NF2S
英飞凌 ISC027N10NM6

应用场景

动力电池与储能

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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