GMS035N10L3

SGT MOSFET·TO-263

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参数

初选参考

VDS	100 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	3.5 mΩ
RDS(on) typ	3 mΩ
ID	160 A
Qg typ	130 nC
封装	TO-263

可替代参考型号

英飞凌 IPB80N06S2-H5
英飞凌 IPB80N08S2-07
英飞凌 IRF1405S
英飞凌 IPB120N10S4-03
英飞凌 IPB80N04S2-H4
英飞凌 IRFS7537
英飞凌 IPB020N10N5
英飞凌 IPB027N10N5
英飞凌 IPB120N10S4-05
华润微 CRSS038N08N

应用场景

动力电池与储能

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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