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高石半导体

GMS039N10F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

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参数
初选参考
VDS100 V
VGS max20 V
RDS(on) max3.9 mΩ
RDS(on) typ3.5 mΩ
ID113 A
Qg typ44 nC
封装PDFN5×6
可替代参考型号
  • 英飞凌 BSC057N08NS3-G
  • 英飞凌 IAUC100N08S5N043
  • 英飞凌 IAUC100N10S5N040
  • 英飞凌 BSC040N08NS5
  • 英飞凌 BSC047N08NS3-G
  • 英飞凌 BSC050N10NS5
  • 威兆 VSP003N10HS-G
  • 英飞凌 BSC026N08NS5
  • 英飞凌 ISC027N10NM6
  • 英飞凌 ISC030N10NM6

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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