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高石半导体

GMS049N10K

SGT MOSFET·TO-220

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参数
初选参考
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max5.3 mΩ
RDS(on) typ4.8 mΩ
ID135 A
Qg typ69 nC
封装TO-220
可替代参考型号
  • 英飞凌 IRFB4310
  • 英飞凌 IRFB4310Z
  • 英飞凌 IRFB7545
  • 华润微 CRST053N10N
  • 英飞凌 IPP100N10S3-05
  • 英飞凌 IRFB4510
  • 英飞凌 IRFZ48N
  • 英飞凌 IPP030N10N5
  • 英飞凌 IPP030N10NF2S
  • 英飞凌 IPP039N10N5

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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