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高石半导体

GMS049N10L3

SGT MOSFET·TO-263

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max4.9 mΩ
RDS(on) typ4.2 mΩ
ID135 A
Qg typ69 nC
封装TO-263
典型替代料号
  • CRSS052N08N

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