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高石半导体

GMS110N10F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max11 mΩ
RDS(on) typ9 mΩ
ID61 A
Qg typ18 nC
封装PDFN5×6
典型替代料号
  • 威兆 VSP011N10MS-G

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