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高石半导体

GMS190N10B

SGT MOSFET·SOP-8

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max19 mΩ
RDS(on) typ16 mΩ
ID12 A
Qg typ12.5 nC
封装SOP-8
典型替代料号
  • 华羿微:HYG180N10LS1S

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