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高石半导体

GMS600N15F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

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参数
初选参考
VDS150 V
VGS max±20 V
RDS(on) max60 mΩ
RDS(on) typ50 mΩ
ID28 A
Qg typ6.9 nC
封装PDFN5×6
可替代参考型号
  • 乐山 LN7960DT1WG
  • 英飞凌 BSC520N15NS3-G
  • 英飞凌 IRFH5215
  • 英飞凌 BSC360N15NS3-G
  • 英飞凌 IAUC24N10S5L300
  • 英飞凌 ISC320N12LM6
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标,不代表该厂商的授权或背书。

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