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高石半导体

GMS600N15F1

SGT MOSFET·PDFN5×6

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS150 V
VGS max±20 V
RDS(on) max60 mΩ
RDS(on) typ50 mΩ
ID28 A
Qg typ6.9 nC
封装PDFN5×6
典型替代料号
  • 乐山:LN7960DT1WG
应用场景

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