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高石半导体

GTN3009E1

SGT MOSFET·PDFN3×3

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参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
RDS(on) max3 mΩ
RDS(on) typ2.4 mΩ
ID70 A
封装PDFN3×3
VGS(th) typ1.7 V
典型替代料号
  • AONR32324
  • CJAB75N03U

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