消费电子

手机 & 平板

服务手机与平板的 BMS、负载开关与电源路径，适配紧凑高集成设计。

下列器件服务于该应用中的关键功率环节，覆盖 4 条产品线、共 24 款。

适用器件

按产品线整理，参数与规格书可在产品页进一步查看。

SGT MOSFET6

料号	沟道	VDS	RDS(on)	ID	Qg	封装	规格书	操作
GTN3006F3	N	30 V	2.8 mΩ	94 A	32 nC	PDFN3×3	PDF	详情
GTN3007F	N	30 V	1.4 mΩ	109 A	—	PDFN3×3	—	详情
GTN3009E1	N	30 V	3 mΩ	70 A	—	PDFN3×3	—	详情
GTN3012F	N	30 V	4 mΩ	66 A	18.2 nC	PDFN3×3	PDF	详情
GTN3201E1	N	32 V	1.4 mΩ	125 A	81 nC	PDFN3×3	PDF	详情
GTN3203E1	N	32 V	2.4 mΩ	81 A	57 nC	PDFN3×3	PDF	详情

Trench MOSFET3

料号	沟道	VDS	RDS(on)	ID	Qg	封装	规格书	操作
GMT140P02F2	双P	-20 V	14 mΩ	-30 A	14.7 nC	PDFN3×3-D	PDF	详情
GMT190P03B	P	-30 V	19 mΩ	-10 A	32 nC	SOP-8	PDF	详情
GTC3002F2	N+P	30 V	10.2 mΩ	38 A	25.4 nC	PDFN3×3-D	PDF	详情

CSP MOSFET14

料号	沟道	VSS	RSS(on)	IS	Qg	结构	封装	规格书	操作
GTD1201A	双N	12 V	2.75 mΩ	25.7 A	35.1 nC	Dual N-channel common-drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1202A	双N	12 V	2.6 mΩ	25.7 A	42 nC	Dual N-channel common-drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1203A	双N	12 V	5.1 mΩ	17 A	26 nC	Dual Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1204A	双N	12 V	1.8 mΩ	31.7 A	48.8 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1205A	双N	12 V	1.3 mΩ	37.3 A	75 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1206A	双N	12 V	2.7 mΩ	24 A	30 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1207A	双N	12 V	5.5 mΩ	16.1 A	22.4 nC	Dual N-channel common-drain	WLCSP	PDF	详情
GTD1208A	双N	12 V	1.95 mΩ	27.7 A	38 nC	Dual N-channel common-drain (gate resistor installed)	WLCSP	PDF	详情
GTD1209A	双N	12 V	1.15 mΩ	40 A	66 nC	Dual N-channel common-drain (gate resistor installed)	WLCSP	PDF	详情
GTD1213A	双N	12 V	4.7 mΩ	17 A	29 nC	Dual N-channel common-drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2207A	双N	—	—	—	—	—	WLCSP	—	详情
GTD2303A	双N	23 V	3.2 mΩ	23.6 A	52.6 nC	Dual Common-Drain N-Channel	WLCSP	PDF	详情
GTD2402A	双N	24 V	1.85 mΩ	30 A	46 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2406A	双N	—	—	—	—	—	WLCSP	—	详情

DrMOS & PMIC1

料号	VIN	IOUT	封装	规格书	操作
GL022	—	—	WLCSP	—	详情

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