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高石半导体

GTC3002F2

Trench MOSFET·PDFN3×3-D

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max10.2 mΩ
RDS(on) typ7.8 mΩ
ID38 A
Qg typ25.4 nC
封装PDFN3×3-D
ConfigurationComplementary N+P
典型替代料号
  • CJAB2003

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