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高石半导体

GD206F

Trench MOSFET·PDFN3×3-D

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参数
初选参考
VDS20 V
VGS max±10 V
RDS(on) max5.2 mΩ
RDS(on) typ3.7 mΩ
ID15.4 A
Qg typ27.4 nC
封装PDFN3×3-D
ConfigurationDual N-channel common-drain
可替代参考型号
  • 长晶 CJAE2002
  • 英飞凌 IRL6297SD

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标,不代表该厂商的授权或背书。

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