GD206F

Trench MOSFET·PDFN3×3-D

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	20 V
VGS max	±10 V
RDS(on) max	5.2 mΩ
RDS(on) typ	3.7 mΩ
ID	15.4 A
Qg typ	27.4 nC
封装	PDFN3×3-D
Configuration	Dual N-channel common-drain

典型替代料号

长晶 CJAE2002（双N）
CJAE2002

应用场景

手持终端智能穿戴移动电源

同产品线

GD208E GD209E GD211E GMT020N03F1 GMT030P03F1 GMT034N03L1 GMT035N02F1 GMT047N03F1 GMT047N03L1 GMT047N03L3

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