消费电子

智能穿戴

服务智能穿戴的电池保护与负载开关，适配极限小体积与低功耗。

下列器件服务于该应用中的关键功率环节，覆盖 3 条产品线、共 11 款。

适用器件

按产品线整理，参数与规格书可在产品页进一步查看。

SGT MOSFET1

料号	沟道	VDS	RDS(on)	ID	Qg	封装	规格书	操作
GN317C	N	30 V	5 mΩ	20.7 A	19 nC	DFN2×2	PDF	详情

Trench MOSFET6

料号	沟道	VDS	RDS(on)	ID	Qg	封装	规格书	操作
GD206F	双N	20 V	5.2 mΩ	15.4 A	27.4 nC	PDFN3×3-D	PDF	详情
GD208E	双N	20 V	7.2 mΩ	12 A	16 nC	DFN2×3	PDF	详情
GD209E	双N	20 V	12 mΩ	8 A	16 nC	DFN2×3	PDF	详情
GD211E	双N	20 V	15 mΩ	8 A	16 nC	DFN2×3	PDF	详情
GMT180D02B1	双N	20 V	18 mΩ	7 A	17 nC	TSSOP-8	PDF	详情
GMT180D02H4	双N	20 V	18 mΩ	7 A	7.8 nC	SOT-23-6L	PDF	详情

CSP MOSFET4

料号	沟道	VSS	RSS(on)	IS	Qg	结构	封装	规格书	操作
GTD1210A	双N	12 V	38 mΩ	4.5 A	3.8 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2001A	双N	20 V	11.9 mΩ	9.7 A	22.8 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2005A	双N	20 V	32 mΩ	3.4 A	4.5 nC	Dual N-channel common-drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2204A	双N	22 V	23.5 mΩ	6.7 A	8.5 nC	Dual N-channel common-drain (gate resistor installed)	WLCSP	PDF	详情

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