GD209E

Trench MOSFET·DFN2×3

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	20 V
VGS max	12 V
RDS(on) max	12 mΩ
RDS(on) typ	9.2 mΩ
ID	8 A
Qg typ	16 nC
封装	DFN2×3
Configuration	Dual N-Channel common-drain

典型替代料号

长晶 CJCD2005（双N）
CJCD2005

应用场景

手持终端智能穿戴移动电源

同产品线

GD206F GD208E GD211E GMT020N03F1 GMT030P03F1 GMT034N03L1 GMT035N02F1 GMT047N03F1 GMT047N03L1 GMT047N03L3

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