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高石半导体

GMT047N03L3

Trench MOSFET·TO-263

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max4.7 mΩ
RDS(on) typ4.1 mΩ
ID100 A
Qg typ39.2 nC
封装TO-263
典型替代料号
  • 永源微 AP100N03T

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