GMT047N03L3

Trench MOSFET·TO-263

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参数

初选参考

VDS	30 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	4.7 mΩ
RDS(on) typ	4.1 mΩ
ID	100 A
Qg typ	39.2 nC
封装	TO-263

可替代参考型号

英飞凌 IRF3709ZS
永源微 AP100N03T
英飞凌 BSC0906NS
英飞凌 IPB023N03LF2S
英飞凌 IPD047N03LF2S

应用场景

电源适配器车载后装

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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同产品线

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