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高石半导体

GMT020N03F1

Trench MOSFET·PDFN5×6

暂无在线规格书,可通过邮件索取。
参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
RDS(on) typ1.6 mΩ
ID150 A
封装PDFN5×6
VGS(th) typ1.7 V
应用场景

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