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高石半导体

GMT047N03L1

Trench MOSFET·TO-252

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参数
初选参考
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max4.3 mΩ
RDS(on) typ3.8 mΩ
ID80 A
Qg typ39.2 nC
封装TO-252
可替代参考型号
  • 美浦森 SLD80N03T
  • 英飞凌 IPD050N03L-G
  • 英飞凌 IPD70N03S4L-04
  • 英飞凌 IPD031N03L-G
  • 英飞凌 IPD50N03S4L-06
  • 英飞凌 IPD90N03S4L-03

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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