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高石半导体

GMT047N03L1

Trench MOSFET·TO-252

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max4.3 mΩ
RDS(on) typ3.8 mΩ
ID80 A
Qg typ39.2 nC
封装TO-252
典型替代料号
  • 美浦森 SLD80N03T

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