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高石半导体

GMT030P03F1

Trench MOSFET·PDFN5×6

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS-30 V
VGS max20 V
RDS(on) max3 mΩ
RDS(on) typ2.2 mΩ
ID100 A
Qg typ163 nC
封装PDFN5×6
典型替代料号
  • 长晶 CJAC100P03

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