GD208E

Trench MOSFET·DFN2×3

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	20 V
VGS max	±12 V
RDS(on) max	7.2 mΩ
RDS(on) typ	6.3 mΩ
ID	12 A
Qg typ	16 nC
封装	DFN2×3
Configuration	Dual N-channel common-drain

典型替代料号

长晶 CJCD2003（双N）
CJCD2003

应用场景

手持终端智能穿戴移动电源

同产品线

GD206F GD209E GD211E GMT020N03F1 GMT030P03F1 GMT034N03L1 GMT035N02F1 GMT047N03F1 GMT047N03L1 GMT047N03L3

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