消费电子

手持终端

优化手持终端的电池路径与负载开关，平衡续航与占板面积。

下列器件服务于该应用中的关键功率环节，覆盖 3 条产品线、共 16 款。

适用器件

按产品线整理，参数与规格书可在产品页进一步查看。

SGT MOSFET4

料号	沟道	VDS	RDS(on)	ID	Qg	封装	规格书	操作
GN308A	N	30 V	2.4 mΩ	110 A	95 nC	PDFN5×6	PDF	详情
GN317C	N	30 V	5 mΩ	20.7 A	19 nC	DFN2×2	PDF	详情
GN403A	N	40 V	1.4 mΩ	190 A	69 nC	PDFN5×6	PDF	详情
GN406A	N	40 V	2.6 mΩ	130 A	19 nC	PDFN5×6	PDF	详情

Trench MOSFET9

料号	沟道	VDS	RDS(on)	ID	Qg	封装	规格书	操作
GD206F	双N	20 V	5.2 mΩ	15.4 A	27.4 nC	PDFN3×3-D	PDF	详情
GD208E	双N	20 V	7.2 mΩ	12 A	16 nC	DFN2×3	PDF	详情
GD209E	双N	20 V	12 mΩ	8 A	16 nC	DFN2×3	PDF	详情
GD211E	双N	20 V	15 mΩ	8 A	16 nC	DFN2×3	PDF	详情
GMT120D02B1	双N	20 V	13.2 mΩ	12 A	17.9 nC	TSSOP-8	PDF	详情
GMT180D02B1	双N	20 V	18 mΩ	7 A	17 nC	TSSOP-8	PDF	详情
GMT180D02H4	双N	20 V	18 mΩ	7 A	7.8 nC	SOT-23-6L	PDF	详情
GMT182N06C1T	N	60 V	1.8 mΩ	0.45 A	0.8 nC	DFN1006	PDF	详情
GMT202N06H3	N	60 V	2000 mΩ	0.34 A	—	SOT-523	PDF	详情

CSP MOSFET3

料号	沟道	VSS	RSS(on)	IS	Qg	结构	封装	规格书	操作
GTD2001A	双N	20 V	11.9 mΩ	9.7 A	22.8 nC	Dual N-channel Common-Drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2005A	双N	20 V	32 mΩ	3.4 A	4.5 nC	Dual N-channel common-drain	WLCSP	PDF	详情
GTD2204A	双N	22 V	23.5 mΩ	6.7 A	8.5 nC	Dual N-channel common-drain (gate resistor installed)	WLCSP	PDF	详情

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