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高石半导体

GMT182N06C1T

Trench MOSFET·DFN1006

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参数
初选参考
VDS60 V
VGS max±20 V
RDS(on) max1.8 mΩ
RDS(on) typ1.3 mΩ
ID0.45 A
Qg typ0.8 nC
封装DFN1006
可替代参考型号
  • 英飞凌 2N7002
  • 英飞凌 BSS138N
  • 英飞凌 SN7002N
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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