GMT182N06C1T

Trench MOSFET·DFN1006

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	60 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	1.8 mΩ
RDS(on) typ	1.3 mΩ
ID	0.45 A
Qg typ	0.8 nC
封装	DFN1006

应用场景

同产品线

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