GMT180D02B1

Trench MOSFET·TSSOP-8

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	20 V
VGS max	±12 V
RDS(on) max	18 mΩ
RDS(on) typ	14 mΩ
ID	7 A
Qg typ	17 nC
封装	TSSOP-8
Configuration	Dual N-channel common-drain

典型替代料号

长晶 CJS8810（双N）

应用场景

手持终端智能穿戴

同产品线

GD206F GD208E GD209E GD211E GMT020N03F1 GMT030P03F1 GMT034N03L1 GMT035N02F1 GMT047N03F1 GMT047N03L1

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