GMT180D02H4

Trench MOSFET·SOT-23-6L

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参数

初选参考

VDS	20 V
VGS max	±10 V
RDS(on) max	18 mΩ
RDS(on) typ	14 mΩ
ID	7 A
Qg typ	7.8 nC
封装	SOT-23-6L
Configuration	Dual Common-Drain
IS	7 A
RSS(on) max	18 mΩ
RSS(on) typ	14 mΩ
VSS	20 V

可替代参考型号

长晶 CJL8820

应用场景

手持终端智能穿戴电源适配器移动电源

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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