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高石半导体

GMT120D02B1

Trench MOSFET·TSSOP-8

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参数
初选参考
VDS20 V
VGS max±12 V
RDS(on) max13.2 mΩ
RDS(on) typ12 mΩ
ID12 A
Qg typ17.9 nC
封装TSSOP-8
ConfigurationDual N-channel common-drain
可替代参考型号
  • 长晶 CJS8804
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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