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高石半导体

GMT120D02B1

Trench MOSFET·TSSOP-8

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS20 V
VGS max±12 V
RDS(on) max13.2 mΩ
RDS(on) typ12 mΩ
ID12 A
Qg typ17.9 nC
封装TSSOP-8
ConfigurationDual N-channel common-drain
典型替代料号
  • 长晶 CJS8804(双N)
应用场景

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