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高石半导体

GTN3203E1

SGT MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS32 V
VGS max±20 V
RDS(on) max2.4 mΩ
RDS(on) typ1.6 mΩ
ID81 A
Qg typ57 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • AONR32324

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