GMT140P02F2

Trench MOSFET·PDFN3×3-D

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参数

初选参考，设计以规格书为准

VDS	-20 V
VGS max	±12 V
RDS(on) max	14 mΩ
RDS(on) typ	10.2 mΩ
ID	-30 A
Qg typ	14.7 nC
封装	PDFN3×3-D
Configuration	Dual P-channel

典型替代料号

永源微 AP30V02DF（双P）

应用场景

手机 & 平板电子烟

同产品线

GD206F GD208E GD209E GD211E GMT020N03F1 GMT030P03F1 GMT034N03L1 GMT035N02F1 GMT047N03F1 GMT047N03L1

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