跳到主内容
高石半导体

GTN3201E1

SGT MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS32 V
VGS max±20 V
RDS(on) max1.4 mΩ
RDS(on) typ1.1 mΩ
ID125 A
Qg typ81 nC
封装PDFN3×3

同产品线

查看全部