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高石半导体

GTN3006F3

SGT MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max2.8 mΩ
RDS(on) typ2.1 mΩ
ID94 A
Qg typ32 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • AOS AONR32342C
  • AONR32342C

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