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高石半导体

GMS017N03F

SGT MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max1.7 mΩ
RDS(on) typ1.3 mΩ
ID119 A
Qg typ39 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • 威兆 VSE002N03MS-G

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