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高石半导体

GMT088N03F

Trench MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max8.8 mΩ
RDS(on) typ6.3 mΩ
ID50 A
Qg typ10 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • 微硕 WSD3050DN
应用场景

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