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高石半导体

GMT088N03F

Trench MOSFET·PDFN3×3

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参数
初选参考
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max8.8 mΩ
RDS(on) typ6.3 mΩ
ID50 A
Qg typ10 nC
封装PDFN3×3
可替代参考型号
  • 英飞凌 BSZ088N03LS-G
  • 英飞凌 BSZ100N03MS-G
  • 英飞凌 BSZ130N03LS-G
  • 微硕 WSD3050DN
  • 英飞凌 BSZ060NE2LS
  • 英飞凌 BSZ065N03LS
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标,不代表该厂商的授权或背书。

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