GMT111N10L1

Trench MOSFET·TO-252

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参数

初选参考

VDS	100 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	105 mΩ
RDS(on) typ	92 mΩ
ID	15 A
Qg typ	18.7 nC
封装	TO-252

可替代参考型号

英飞凌 IRLR120N
英飞凌 IRLR3410
英飞凌 IPD14N06S2-80
英飞凌 IPD15N06S2L-64
英飞凌 IPD78CN10N-G

应用场景

电源适配器

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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同产品线

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