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高石半导体

GMT111N10L1

Trench MOSFET·TO-252

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS100 V
VGS max±20 V
RDS(on) max105 mΩ
RDS(on) typ92 mΩ
ID15 A
Qg typ18.7 nC
封装TO-252
应用场景

同产品线

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