GMT075N06L1

Trench MOSFET·TO-252

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参数

初选参考

VDS	60 V
VGS max	±20 V
RDS(on) max	5.5 mΩ
RDS(on) typ	5 mΩ
ID	80 A
Qg typ	31 nC
封装	TO-252

可替代参考型号

英飞凌 IPD50N06S2-14
英飞凌 IPD50N06S4-09
英飞凌 IPD75N04S4-06
硅能 SSF6808D3X
英飞凌 IPD053N06N
英飞凌 IPD90N04S4-05
英飞凌 IPD033N06N
英飞凌 IPD034N06N3-G
英飞凌 IPD038N06NF2S

应用场景

电源适配器动力电池与储能

* 直接替代：封装管脚一致，可直接换上。等效替代：可原位焊接，须上板验证。功能替代：须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标，不代表该厂商的授权或背书。

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