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高石半导体

GMT075N06L1

Trench MOSFET·TO-252

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS60 V
VGS max±20 V
RDS(on) max5.5 mΩ
RDS(on) typ5 mΩ
ID80 A
Qg typ31 nC
封装TO-252
典型替代料号
  • 硅能:SSF6808D3

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