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高石半导体

GMT078P03F3

Trench MOSFET·PDFN3×3

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参数
初选参考
VDS-30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max7.8 mΩ
RDS(on) typ6.5 mΩ
ID-55 A
Qg typ69.8 nC
封装PDFN3×3
可替代参考型号
  • 万国 CQY4423P
  • 英飞凌 BSC060P03NS3E-G
  • 英飞凌 BSC084P03NS3-G
  • 英飞凌 IPD50P03P4L-11

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标,不代表该厂商的授权或背书。

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