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高石半导体

GMT078P03F3

Trench MOSFET·PDFN3×3

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS-30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max7.8 mΩ
RDS(on) typ6.5 mΩ
ID-55 A
Qg typ69.8 nC
封装PDFN3×3
典型替代料号
  • 万国 CQY4423P

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