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高石半导体

GMT100N03D

Trench MOSFET·DFN2×2

参数
初选参考,设计以规格书为准
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max10 mΩ
RDS(on) typ7.5 mΩ
ID20 A
Qg typ19 nC
封装DFN2×2
典型替代料号
  • 长晶 CJMN3010
  • CJMN3010

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