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高石半导体

GMT100N03D

Trench MOSFET·DFN2×2

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参数
初选参考
VDS30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max10 mΩ
RDS(on) typ7.5 mΩ
ID20 A
Qg typ19 nC
封装DFN2×2
可替代参考型号
  • 长晶 CJMN3010
  • 英飞凌 IRLHS6242
  • 英飞凌 IRLHS6342
  • 英飞凌 BSZ065N03LS
  • 英飞凌 IPD30N03S4L-09
  • 英飞凌 IPD30N03S4L-14

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

所有提及的第三方商标、品牌和料号均属于其各自所有者。此处列出仅供参考对标,不代表该厂商的授权或背书。

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