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高石半导体

GMT150P03F

Trench MOSFET·PDFN3×3

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参数
初选参考
VDS-30 V
VGS max±20 V
RDS(on) max15 mΩ
RDS(on) typ12.5 mΩ
ID-35 A
Qg typ30 nC
封装PDFN3×3
可替代参考型号
  • 英飞凌 BSZ086P03NS3-G
  • 英飞凌 BSZ120P03NS3-G
  • 英飞凌 BSZ180P03NS3-G
应用场景

* 直接替代:封装管脚一致,可直接换上。等效替代:可原位焊接,须上板验证。功能替代:须改线路或降额使用。最终规格请以规格书为准。

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